[俄罗斯] HS编码8541420000

编码描述：элементы фотогальванические, не собранные в модули - бескорпусные фотодиоды(чипы) серии lms mir pd chip(лмс ик фд чип), предназначены для детектирования инфракрасного(ик) излучения в спектральном диапазоне 1,0-4,8 мкм для разработки новых моделей датчиков метана с низким энергопотреблением. не отходы, не для военных целей: _1_ фотодиод средний лмс ик фд (чип на керамической подложке) / photodiode lms mir pd (cs), представляют фотодиоды (gasb-inas). технические характеристики: спектральный диапазон 1,0-4,8 мкм (1000-4800 нм), рабочая температура 0-60°с. назначение: детектор инфракрасного излучения. область применения: общепромышленная _2_ фотодиод средний лмс ик фд (то18) / photodiode lms mir pd (то18), представляют фотодиоды (gasb-inas). технические характеристики: спектральный диапазон 1,0-4,8 мкм (1000-4800 нм), рабочая температура 0-60°с. назначение: детектор инфракрасного излучения. область применения: общепромышленная _3_ фотодиод средний лмс ик фд-р (то18) / photodiode lms mir pd-r (то18), представляют фотодиоды (gasb-inas). технические характеристики: спектральный диапазон 1,0-4,8 мкм (1000-4800 нм), рабочая температура 0-60°с. назначение: детектор инфракрасногоизлучения. область применения: общепромышленная _4_ фотодиод средний лмс ик фд-л (то18) / photodiode lms mir pd-cg (то18), представляют фотодиоды (gasb-inas). технические характеристики: спектральный диапазон 1,0-4,8 мкм (1000-4800 нм), рабочая температура 0-60°с. назначение: детектор инфракрасного излучения. область применения: общепромышленная _5_ фотодиод с предусилителем лмс ик фд-пу /photodiode with preamplifier lms mir pd-pa, представляют фотодиоды (gasb-inas). технические характеристики: спектральный диапазон 1,0-4,8 мкм (1000-4800 нм), рабочая температура 0-60°с. назначение: детектор инфракрасного излучения. область применения: общепромышленная 编码来源：俄罗斯原始海关数据